檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="洪儒生"
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本論文的主題分為四部分:(1)利用三甲基鎵(trimethylgallium，TMG)/氨氣(NH3)為反應先驅物以原子層磊晶法(ALE)合成氮化鎵(GaN)並對其成長行為做一整體性探討；(2)探討…
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本研究乃針對藍光氮化鎵發光二極體元件的p型氮化鎵透明導電接觸層提出一取代材質及製程，考慮現在工業製程所使用的氧化銦錫薄膜中稀有元素銦的價昂，提案改使用同為透明導電氧化物的摻鎵氧化鋅來取代氧化銦錫。同…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)為原料，分別使用鍍上金觸媒的Si(111)、Ge奈米線及ZnO奈米柱為基材來沈積氮化鎵。在鍍上1 nm厚度金觸媒於Si(11…
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本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料，並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材，…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)分別為其鎵源和氮源合成氮化鎵結構。在一維結構方面，使用鍍上金觸媒的Si(100)、藍寶石單晶及氮化鎵單晶為基材來沈積氮化鎵。…
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本實驗是先分別於三種氣氛下以TMGa/Cp2Mg/NH3之MOCVD系統成長p型氮化鎵薄膜。首先，在全氮氣氣氛下成長時，發現成長壓力為75 torr時，可以成長出表面較為平坦的薄膜，但因薄膜電性仍未…
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本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)作為氮源先驅物，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)，來成長氮化鎵奈米線，期望以TEGa…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，將氮源由傳統MOCVD製程中所使用的氨氣(NH3)改為第三丁基聯胺(i-butylhydrazine, TBHy)，來與三甲基鎵(trimethyl…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，透過「氣-液- 固」機制及使用金當催化劑，成功地在溫度700oC下分別在藍寶石(脉-Al2O3)、矽基板和氮化鎵上成長氮化鎵的奈米線。我們將氮源由…
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本論文使用有機金屬氣相沈積法(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)製備氮化鎵/氮化銦鎵發光二極體，分別利用添加ZnO當作緩衝層、改變GaN在高…